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NIR-PLUS2017少子紅外PL光致發(fā)光集成測(cè)試儀是一款集成了少子、紅外、PL光致發(fā)光檢測(cè)的超級(jí)測(cè)試系統(tǒng)，能夠在2分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅棒的紅外少子PL的全工藝檢測(cè)，包括少子壽命、硬質(zhì)點(diǎn)、隱裂、微裂紋、黑心、黑邊、異常生長、光致發(fā)光檢測(cè)、電池片效率預(yù)測(cè)等等。對(duì)硅棒而言更是簡(jiǎn)便，四面檢測(cè)，一鍵搞定。
■檢測(cè)類型：?jiǎn)尉В嗑В悊尉?/span>
■檢測(cè)指標(biāo)：少子壽命、硬質(zhì)點(diǎn)、隱裂、微裂紋、黑心、黑邊、異常生長、PL、電池片效率預(yù)測(cè)等
■樣品表面：毛面、光面均可
■檢測(cè)尺寸：156mm*156mm，210mm*210mm，尺寸也可根據(jù)客戶要求拓展
■檢測(cè)高度：500mm
■檢測(cè)速度：四面檢測(cè)少子紅外PL光致發(fā)光，小于2分鐘
■少子紅外PL光致發(fā)光綜合檢測(cè)分析，精準(zhǔn)畫線
■分辨率：512*1150pixel[0.3mm]，高分辨率圖像可用于細(xì)節(jié)分析
■波長：900-1700nm
■3D功能分析
■工作電源: 220AC, 2000W
■工作溫度: 15-35度
■工作濕度: 20%-60%
■尺寸: 1000[H]*1100[W]*800[mm]+工控機(jī)
■重量: 166kg(含附件)
■符合標(biāo)準(zhǔn)：CE，RoHs
高分辨率集成，2分鐘之內(nèi)，檢測(cè)出3D少子和3D紅外所有檢測(cè)數(shù)據(jù)信息。一套系統(tǒng)，集成少子檢測(cè)、紅外探傷、PL光致發(fā)光檢測(cè)功能，堪稱史上最牛也是最高性價(jià)比的檢測(cè)系統(tǒng)。
PL光致發(fā)光檢測(cè)模式中，集成了用戶通常檢測(cè)所需的少子檢測(cè)、彩色掃描標(biāo)定（color maps）、柱狀圖分布等。另外硅塊掃描檢測(cè)的缺陷百分比和雜質(zhì)百分比計(jì)算分析將為硅片生產(chǎn)效率的提升提供重要支撐。
用戶無需人工分析，系統(tǒng)自動(dòng)一鍵畫線功能，軟件立刻精準(zhǔn)畫出切割線。
系統(tǒng)校驗(yàn)匹配后的，少子壽命檢測(cè)的誤差率控制在5%以內(nèi)。在某些方面，比如硅塊的俄歇復(fù)合區(qū)域（Auger recombination dominated zones），NIR-PLUS2017有著其他少子壽命測(cè)試儀無可比擬的優(yōu)勢(shì)，如上圖的綠色區(qū)域它能更加細(xì)微地表征出少子壽命的差異，而這些區(qū)域和差異通常只有在類似陽光和光致發(fā)光激光照明的高注入特殊條件下才能實(shí)現(xiàn)。
NIR-PLUS2017還提供PL的研發(fā)測(cè)試功能，包括晶圓硅片都可以進(jìn)行檢測(cè)，硅棒的缺陷百分比及雜質(zhì)百分比計(jì)算分析功能和硅片電池片效率檢測(cè)具有著高度的匹配一致性。
和傳統(tǒng)的微波光電導(dǎo)衰減(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)測(cè)試結(jié)果的一致性比較。
NIR-PLUS2017的檢測(cè)兼顧了檢測(cè)的快速性和檢測(cè)的高分辨率，如上圖是我們100mm*100mm的硅塊區(qū)域。
我們的少子壽命測(cè)試原理和傳統(tǒng)的微波光電導(dǎo)衰減(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)原理不同，其在校驗(yàn)后，將具有良好的相關(guān)性和一致性。切割畫線也具有良好的一致性。同樣的結(jié)果，NIR-PLUS2017顯示出高效的優(yōu)勢(shì)。上圖顯示的最大的差異是在俄歇復(fù)合區(qū)域（Auger recombination dominated zones）。
紅外探傷功能的評(píng)估模塊也使用戶工作更簡(jiǎn)便，效率更高。
